(12)發(fā)明專利申請

(10)申請公布號(10)申請公布號 CN 104862772 A (43)申請公布日(43)申請公布日 2015.08.26

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C25F 3/30(2006.01)

權(quán)利要求書1頁 說明書5頁 附圖5頁

()發(fā)明名稱

電化學(xué)拋光裝置及方法(57)摘要

本發(fā)明揭示了一種電化學(xué)拋光裝置，包括晶圓夾盤和噴嘴，晶圓夾盤開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽，數(shù)個晶圓凹槽均勻分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間。數(shù)個晶圓凹槽的直徑相等，數(shù)個晶圓凹槽的圓心分布在以晶圓夾盤的圓心為中心的同心圓上，且每一個晶圓凹槽的圓心位于晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣的半徑的中點上。晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動。本發(fā)明還提出一種使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，適用上述的電化學(xué)拋光裝置包括晶圓夾盤和噴嘴，在拋光晶圓時，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動，運動范圍在晶圓夾盤的圓心與晶圓夾盤的外邊緣之間或晶圓凹槽的直徑范圍內(nèi)。 C N 1 0 4 8 6 2 7 7 2 ACN 104862772 A

權(quán) 利 要 求 書

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1.一種電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，包括晶圓夾盤和噴嘴，所述晶圓夾盤開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽，數(shù)個晶圓凹槽均勻分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，所述晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，所述數(shù)個晶圓凹槽的直徑相等，數(shù)個晶圓凹槽的圓心分布在以所述晶圓夾盤的圓心為中心的同心圓上，且每一個晶圓凹槽的圓心位于晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣的半徑的中點上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，所述晶圓夾盤除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面覆蓋一層由導(dǎo)電材料制成的薄板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電材料在電化學(xué)拋光過程中參與電化學(xué)拋光反應(yīng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，所述導(dǎo)電材料在電化學(xué)拋光過程中不參與電化學(xué)拋光反應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電化學(xué)拋光裝置，其特征在于，所述晶圓夾盤除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面覆蓋一層由絕緣材料制成的薄板。

7.一種使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，所述電化學(xué)拋光裝置包括晶圓夾盤和噴嘴，所述晶圓夾盤開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽，數(shù)個晶圓凹槽均勻分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，數(shù)片晶圓分別固定在晶圓夾盤的晶圓凹槽中，其特征在于，拋光晶圓時，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動，運動范圍在晶圓夾盤的圓心與晶圓夾盤的外邊緣之間或晶圓凹槽的直徑范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，其特征在于，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，其特征在于，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，其特征在于，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，其特征在于，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。

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說 明 書電化學(xué)拋光裝置及方法

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技術(shù)領(lǐng)域

[0001]

本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種電化學(xué)拋光裝置及方法。

背景技術(shù)

在集成電路制造過程中，化學(xué)機械拋光（CMP）技術(shù)在單晶硅襯底和多層金屬互連

結(jié)構(gòu)的層間全局平坦化方面得到了廣泛的應(yīng)用?；瘜W(xué)機械拋光可以拋光和平坦化在介質(zhì)材料的非凹陷區(qū)域上形成的金屬層。雖然化學(xué)機械拋光可以只拋光金屬層而對電介質(zhì)層沒有影響，然而，由于其強機械作用力，化學(xué)機械拋光會對集成電路結(jié)構(gòu)帶來一些有害的影響，尤其是隨著極大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展，銅和低K或者超低K電介質(zhì)材料被應(yīng)用在極大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路中，由于銅和低K或者超低K電介質(zhì)材料的機械性能有很大的差別，化學(xué)機械拋光中的強機械作用力可能會對低K或者超低K電介質(zhì)材料造成永久性的損傷。

[0003] 為了解決化學(xué)機械拋光技術(shù)中的缺點，人們在不斷完善化學(xué)機械拋光技術(shù)的同時，也在不斷探索和研究新的平坦化技術(shù)，其中，電化學(xué)拋光技術(shù)被逐漸應(yīng)用在極大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路的制造中。電化學(xué)拋光技術(shù)能夠克服傳統(tǒng)的化學(xué)機械拋光技術(shù)在超微細特征尺寸集成電路制造中的缺陷。電化學(xué)拋光能夠無機械應(yīng)力的對金屬互連結(jié)構(gòu)進行平坦化。常見的電化學(xué)拋光裝置包括一用于夾持晶圓的晶圓夾盤，一用于驅(qū)動晶圓夾盤轉(zhuǎn)動和移動的馬達，該馬達受控于一運動控制器，一用于向晶圓夾盤上的晶圓噴射電解液的噴嘴及一電連接晶圓夾盤和噴嘴的電源，其中，電源的陽極與晶圓夾盤電連接，通過晶圓夾盤向晶圓表面的金屬層供電，電源的陰極與噴嘴電連接，通過噴嘴使電解液帶電荷。[0004] 采用現(xiàn)有的電化學(xué)拋光裝置對晶圓進行電解拋光時，晶圓通常固定在晶圓夾盤的中心，晶圓的圓心與晶圓夾盤的圓心重合。在電解拋光過程中，由于晶圓夾盤帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，導(dǎo)致晶圓夾盤圓心處的線速度與晶圓夾盤上其他位置處的線速度不同，再加上電解液具有一定的粘度，從而導(dǎo)致電解液在晶圓夾盤圓心處形成的液柱形狀與電解液在晶圓夾盤其他位置處形成的液柱形狀有很大的不同，進而導(dǎo)致晶圓圓心處的去除率和拋光均勻性相對于晶圓的其他區(qū)域有較大的不同。此外，現(xiàn)有的電化學(xué)拋光裝置的晶圓夾盤每次僅能夾持一片晶圓進行電解拋光，使晶圓加工效率受到。

[0002]

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對上述背景技術(shù)存在的缺陷提供一種電化學(xué)拋光裝置，該裝置能夠有效解決晶圓在電解拋光時其圓心處的去除率和拋光均勻性相對于晶圓的其他區(qū)域不同的問題，且該裝置每次可以加工多片晶圓，提高了晶圓加工效率。[0006] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的電化學(xué)拋光裝置，包括晶圓夾盤和噴嘴，晶圓夾盤開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽，數(shù)個晶圓凹槽均勻分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動。

[0005] [0007]

在一個實施例中，數(shù)個晶圓凹槽的直徑相等，數(shù)個晶圓凹槽的圓心分布在以晶圓

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說 明 書

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夾盤的圓心為中心的同心圓上，且每一個晶圓凹槽的圓心位于晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣的半徑的中點上。[0008] 在一個實施例中，晶圓夾盤除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面覆蓋一層由導(dǎo)電材料制成的薄板。導(dǎo)電材料在電化學(xué)拋光過程中參與電化學(xué)拋光反應(yīng)，或者，導(dǎo)電材料在電化學(xué)拋光過程中不參與電化學(xué)拋光反應(yīng)。[0009] 在一個實施例中，晶圓夾盤除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面覆蓋一層由絕緣材料制成的薄板。

[0010] 本發(fā)明還提出了使用電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，電化學(xué)拋光裝置包括晶圓夾盤和噴嘴，晶圓夾盤開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽，數(shù)個晶圓凹槽均勻分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，數(shù)片晶圓分別固定在晶圓夾盤的晶圓凹槽中，拋光晶圓時，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動，運動范圍在晶圓夾盤的圓心與晶圓夾盤的外邊緣之間或晶圓凹槽的直徑范圍內(nèi)。[0011] 在一個實施例中，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。[0012] 在一個實施例中，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。

[0013] 在一個實施例中，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。

在一個實施例中，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相

對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。[0015] 綜上所述，本發(fā)明通過提供結(jié)構(gòu)緊湊、能夠夾持多片晶圓的晶圓夾盤，使具有該晶圓夾盤的電化學(xué)拋光裝置能夠同時對多片晶圓進行電化學(xué)拋光處理，提高了晶圓加工效率，而且，每片晶圓位于晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，避免晶圓在晶圓夾盤的圓心位置處進行電解拋光工藝，有效解決了晶圓在電解拋光時其圓心處的去除率和拋光均勻性相對于晶圓的其他區(qū)域不同的問題。

[0014]

附圖說明

[0016] [0017] [0018] [0019] [0020]

圖1揭示了本發(fā)明的一實施例的電化學(xué)拋光裝置的晶圓夾盤的仰視圖。圖2揭示了本發(fā)明的一實施例的晶圓夾盤的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3揭示了本發(fā)明的一實施例的晶圓夾盤夾取晶圓的示意圖。圖4揭示了本發(fā)明的一實施例的晶圓夾盤夾持晶圓的示意圖。圖5揭示了本發(fā)明的一實施例的晶圓夾盤夾持晶圓的仰視圖。

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說 明 書

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圖6揭示了本發(fā)明的又一實施例的晶圓夾盤的仰視圖。

[0022] 圖7揭示了使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓時晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動的示意圖。

[0023] 圖8揭示了使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓時晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動的又一示意圖。

具體實施方式

[0024] 為詳細說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所達成目的及功效，下面將結(jié)合實施例并配合圖式予以詳細說明。[0025] 參閱圖1和圖2，揭示了本發(fā)明的一實施例的電化學(xué)拋光裝置的晶圓夾盤的仰視圖和剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在一個實施例中，適用于電解拋光的晶圓夾盤110開設(shè)有數(shù)個晶圓凹槽112，數(shù)個晶圓凹槽112均勻分布在晶圓夾盤110的圓心至晶圓夾盤110的外邊緣之間。數(shù)個晶圓凹槽112的直徑相等，數(shù)個晶圓凹槽112的圓心分布在以晶圓夾盤110的圓心為中心的同心圓上。在圖示的實施例中，三個晶圓凹槽112以120°夾角均勻分布。每一個晶圓凹槽112的圓心位于晶圓夾盤110的圓心至晶圓夾盤110的外邊緣的半徑的中點上。晶圓夾盤110與致動器（圖中未示）連接，致動器能夠使晶圓夾盤110在水平方向或垂直方向移動及旋轉(zhuǎn)。晶圓夾盤110優(yōu)選為真空夾盤，通過真空系統(tǒng)夾取并固定晶圓。[0026] 參閱圖3至圖5，晶圓夾盤110夾取晶圓120時，晶圓120先被放置在一承載臺130上，晶圓夾盤110移動至承載臺130上方的裝載位置，旋轉(zhuǎn)晶圓夾盤110，使晶圓夾盤110上的一個晶圓凹槽112對準承載臺130上的晶圓120。晶圓夾盤110下降，打開真空系統(tǒng)，晶圓120被固定在與之相對準的晶圓凹槽112中。然后升起晶圓夾盤110至裝載位置，完成第一片晶圓120的裝載。接著，以相同的方式完成余下兩片晶圓120的裝載。[0027] 本發(fā)明的晶圓夾盤并不局限于開設(shè)三個晶圓凹槽，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解的是，晶圓夾盤開設(shè)晶圓凹槽的數(shù)量取決于晶圓夾盤尺寸的大小或晶圓尺寸的大小等因素。在晶圓夾盤上可以最大限度的設(shè)計晶圓凹槽的個數(shù)，只要能夠確保每個晶圓凹槽分布在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣的半徑的位置，以避免晶圓在晶圓夾盤的圓心位置處進行電解拋光工藝，有效解決了晶圓在電解拋光時其圓心處的去除率和拋光均勻性相對于晶圓的其他區(qū)域不同的問題。如圖6所示，晶圓夾盤210開設(shè)有四個晶圓凹槽212以容納四片晶圓，四個晶圓凹槽212以90°夾角均勻分布。每一個晶圓凹槽212的圓心位于晶圓夾盤210的圓心至晶圓夾盤210的外邊緣的半徑的中點上。四個晶圓凹槽212的圓心位于一個以晶圓夾盤210的圓心為中心的圓上。[0028] 參閱圖7，揭示了使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓時晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動的示意圖。以晶圓夾盤110夾持三片晶圓120為例，對使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓120的過程加以說明。在一個實施例中，電解拋光晶圓120時，噴嘴140的位置固定，晶圓夾盤110夾持晶圓120移動至水平方向的工藝位置處，然后，晶圓夾盤110下降至垂直方向的工藝位置處。旋轉(zhuǎn)晶圓夾盤110，同時使晶圓夾盤110相對于噴嘴140從晶圓夾盤110的圓心O1處向晶圓夾盤110的外邊緣線性運動，或者使晶圓夾盤110相對于噴嘴140從晶圓夾盤110的外邊緣向晶圓夾盤110的圓心O1處線性運動，或者使晶圓夾盤110相對于噴嘴140在晶圓夾盤110的圓心O1至晶圓夾盤110的外邊緣之間

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說 明 書

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往返運動。在一個實施例中，電解拋光晶圓120時，晶圓夾盤110夾持晶圓120移動至水平方向的工藝位置處，然后，晶圓夾盤110下降至垂直方向的工藝位置處。晶圓夾盤110的位置固定后，旋轉(zhuǎn)晶圓夾盤110，同時使噴嘴140相對于晶圓夾盤110從晶圓夾盤110的圓心O1處向晶圓夾盤110的外邊緣線性運動，或者使噴嘴140相對于晶圓夾盤110從晶圓夾盤110的外邊緣向晶圓夾盤110的圓心O1處線性運動，或者使噴嘴140相對于晶圓夾盤110在晶圓夾盤110的圓心O1至晶圓夾盤110的外邊緣之間往返運動。[0029] 參閱圖8，揭示了使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓時晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動的又一示意圖。仍以晶圓夾盤110夾持三片晶圓120為例，對使用本發(fā)明的電化學(xué)拋光裝置電解拋光晶圓120的過程加以說明。在一個實施例中，電解拋光晶圓120時，噴嘴140的位置固定，晶圓夾盤110夾持晶圓120移動至水平方向的工藝位置處，然后，晶圓夾盤110下降至垂直方向的工藝位置處。旋轉(zhuǎn)晶圓夾盤110，同時使晶圓夾盤110相對于噴嘴140從晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1處向晶圓凹槽112的外邊緣A2線性運動，或者使晶圓夾盤110相對于噴嘴140從晶圓凹槽112的外邊緣A2處向晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1線性運動，或者使晶圓夾盤110相對于噴嘴140在晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1與晶圓凹槽112的外邊緣A2的直徑范圍內(nèi)線性運動（在本發(fā)明中，晶圓凹槽上距離晶圓夾盤的圓心最近的一點定義為晶圓凹槽的內(nèi)邊緣，晶圓凹槽上距離晶圓夾盤的圓心最遠的一點定義為晶圓凹槽的外邊緣）。在一個實施例中，電解拋光晶圓120時，晶圓夾盤110夾持晶圓120移動至水平方向的工藝位置處，然后，晶圓夾盤110下降至垂直方向的工藝位置處。晶圓夾盤110的位置固定后，旋轉(zhuǎn)晶圓夾盤110，同時使噴嘴140相對于晶圓夾盤110從晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1處向晶圓凹槽112的外邊緣A2線性運動，或者使噴嘴140相對于晶圓夾盤110從晶圓凹槽112的外邊緣A2處向晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1線性運動，或者使噴嘴140相對于晶圓夾盤110在晶圓凹槽112的內(nèi)邊緣A1與晶圓凹槽112的外邊緣A2的直徑范圍內(nèi)線性運動。

[0030] 本發(fā)明中的晶圓夾盤，除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面可以覆蓋一層由導(dǎo)電材料或絕緣材料制成的薄板。[0031] 導(dǎo)電材料中，可以選用金屬銅制成所需的薄板，在晶圓夾盤除去晶圓凹槽外的區(qū)域表面覆蓋一層銅膜，在電解拋光過程中，銅膜能夠參與電化學(xué)拋光反應(yīng)，銅膜相當(dāng)于犧牲層，晶圓夾盤可以被認為是一個整體的、超大的銅膜進行電化學(xué)反應(yīng)，從而有助于提高拋光均勻性以及去除率的精確控制，降低拋光工藝中的系統(tǒng)電阻，提高拋光工藝中的拋光電流或電壓，提高晶圓銅膜表面的光滑度。由于銅膜會參與電化學(xué)拋光反應(yīng)，因此，當(dāng)銅膜消耗完后，需更換新的銅薄板。也可以選用不參與電化學(xué)拋光反應(yīng)的導(dǎo)電材料，如石墨、鈦或鉭制成所需的薄板，以降低拋光工藝中的系統(tǒng)電阻，提高拋光工藝中的拋光電流或電壓，提高晶圓銅膜表面的光滑度。此外，由于該類導(dǎo)電材料不參與電化學(xué)拋光反應(yīng)，因此，無需更換薄板，從而可以降低成本，便于日常保養(yǎng)維護。[0033] 絕緣材料中，可以選用聚對苯二甲酸類塑料（PET）、聚醚醚酮（PEEK）或聚丙烯（PP）等，制成所需的薄板。采用絕緣材料制成薄板，能夠避免電子在非晶圓表面的消耗，有效提高電量與晶圓表面去除率的比值。此外，由于該類導(dǎo)電材料不參與電化學(xué)拋光反應(yīng)，因此，無需更換薄板，從而可以降低成本，便于日常保養(yǎng)維護。

[0032]

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說 明 書

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本發(fā)明還揭示了一種使用上述電化學(xué)拋光裝置拋光晶圓的方法，包括：拋光晶圓

時，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤和噴嘴相對線性運動，運動范圍在晶圓夾盤的圓心與晶圓夾盤的外邊緣之間或晶圓凹槽的直徑范圍內(nèi)。[0035] 在一個實施例中，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。[0036] 在一個實施例中，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓夾盤的圓心處向晶圓夾盤的外邊緣線性運動，或者從晶圓夾盤的外邊緣向晶圓夾盤的圓心處線性運動，或者在晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間往返運動。

[0037] 在一個實施例中，拋光晶圓時，噴嘴的位置固定，使夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤相對于噴嘴從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。

[0038] 在一個實施例中，拋光晶圓時，夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤的位置固定，使噴嘴相對于夾持有數(shù)片晶圓的晶圓夾盤從晶圓凹槽的內(nèi)邊緣向晶圓凹槽的外邊緣線性運動，或者從晶圓凹槽的外邊緣向晶圓凹槽的內(nèi)邊緣線性運動，或者在晶圓凹槽的內(nèi)邊緣至晶圓凹槽的外邊緣的直徑范圍內(nèi)往返運動。[0039] 由上述可知，本發(fā)明通過提供結(jié)構(gòu)緊湊、能夠夾持多片晶圓的晶圓夾盤，使具有該晶圓夾盤的電化學(xué)拋光裝置能夠同時對多片晶圓進行電化學(xué)拋光處理，提高了晶圓加工效率，而且，每片晶圓位于晶圓夾盤的圓心至晶圓夾盤的外邊緣之間，避免晶圓在晶圓夾盤的圓心位置處進行電解拋光工藝，有效解決了晶圓在電解拋光時其圓心處的去除率和拋光均勻性相對于晶圓的其他區(qū)域不同的問題。[0040] 綜上所述，本發(fā)明通過上述實施方式及相關(guān)圖式說明，己具體、詳實的揭露了相關(guān)技術(shù)，使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以據(jù)以實施。而以上所述實施例只是用來說明本發(fā)明，而不是用來本發(fā)明的，本發(fā)明的權(quán)利范圍，應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求來界定。至于本文中所述元件數(shù)目的改變或等效元件的代替等仍都應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利范圍。

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