（12）發(fā)明專利申請

（21）申請?zhí)?CN201510719293.3 （22）申請日 2015.10.29

（71）申請人 上海華力微電子有限公司

地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)高斯路568號

（10）申請公布號 CN105304665A

（43）申請公布日 2016.02.03

（72）發(fā)明人 田志;顧海芳;陳昊瑜 （74）專利代理機(jī)構(gòu) 上海申新律師事務(wù)所

代理人 俞滌炯

（51）Int.CI

H01L27/146;

權(quán)利要求說明書 說明書 幅圖

（）發(fā)明名稱

改善像素單元滿阱容量的CMOS圖像傳感器

（57）摘要

本發(fā)明主要是關(guān)于半導(dǎo)體領(lǐng)域的圖像傳感

器裝置，旨在提供了一種改善像素單元滿阱容量的CMOS圖像傳感器，提高光電二極管的滿阱容量，尤其是改善小尺寸像素單元滿阱容量的CMOS圖像傳感器。主要包括一個(gè)第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層，和植入在該半導(dǎo)體層頂部的第二導(dǎo)電類型的光電二極管的第一摻雜區(qū)，以及一個(gè)植入在第一摻雜區(qū)周邊邊緣處的一個(gè)閉合環(huán)形的第二導(dǎo)電

類型的第二摻雜區(qū)，可增加小尺寸像素單元中光電二極管的表面最高電場的寬度，從而增加滿阱容量。

法律狀態(tài)

法律狀態(tài)公告日

2016-02-03 2016-02-03 2016-04-20 2016-04-20 2019-12-06

法律狀態(tài)信息

公開 公開

實(shí)質(zhì)審查的生效 實(shí)質(zhì)審查的生效

發(fā)明專利申請公布后的駁回法律狀態(tài)

公開 公開

實(shí)質(zhì)審查的生效 實(shí)質(zhì)審查的生效

發(fā)明專利申請公布后的駁回

權(quán)利要求說明書

改善像素單元滿阱容量的CMOS圖像傳感器的權(quán)利要求說明書內(nèi)容是....請下載后查看

說明書

改善像素單元滿阱容量的CMOS圖像傳感器的說明書內(nèi)容是....請下載后查看