專利名稱：使用攙雜物和具有受控晶體結(jié)構(gòu)的多層硅薄膜來調(diào)
整多晶硅薄膜和周圍層的應(yīng)力
專利類型：發(fā)明專利
發(fā)明人：馬毅,凱文·L·卡寧厄姆,馬吉德·阿里·福德申請(qǐng)?zhí)枺篊N200810214397.9申請(qǐng)日：20080911公開號(hào)：CN101436533A公開日：20090520
摘要：在某些實(shí)施例中提供了一種用來形成多層硅薄膜的方法。在處理室中放置襯底。通過使包含硅源氣體的第一處理氣體流進(jìn)處理室在襯底上形成非晶硅薄膜。通過在第一溫度下使包含硅源氣體和第一稀釋氣體混合物的第一處理氣體混合物流進(jìn)沉積室在非晶硅薄膜上形成多晶硅薄膜，第一稀釋氣體混合物包含H和惰性氣體。在某些實(shí)施例中，多晶硅薄膜具有<220>方向占支配地位的晶體取向。在某些實(shí)施例中，多晶硅薄膜具有<111>方向占支配地位的晶體取向。也提供了包含下部非晶硅薄膜和具有無序晶粒結(jié)構(gòu)或柱狀晶粒結(jié)構(gòu)的上部多晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)。
申請(qǐng)人：應(yīng)用材料股份有限公司
地址：美國加利福尼亞州
國籍：US
代理機(jī)構(gòu)：北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
代理人：徐金國
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