專利名稱：一種鍺基CMOS的制備方法專利類型：發(fā)明專利
發(fā)明人：黃如,林猛,黎明,安霞,趙陽,張冰馨,劉朋強,夏宇軒,張
興
申請?zhí)枺篊N201410616327.1申請日：20141105公開號：CN104332442A公開日：20150204
摘要：本發(fā)明公開了一種鍺基CMOS的制備方法，屬于半導體器件領域。該方法利用離子注入的方法精確控制阱的深度與摻雜濃度，并在注入后通過犧牲氧化的方法改善由于離子注入、淀積掩蔽層與場區(qū)氧化物帶來的鍺基襯底表面的粗糙度的退化。本發(fā)明工藝簡單，與傳統(tǒng)硅基CMOS工藝兼容，易于實現(xiàn)。
申請人：北京大學
地址：100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
國籍：CN
代理機構：北京萬象新悅知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)
代理人：賈曉玲
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