目 錄

實(shí)驗(yàn)一 UNIX基本命令..............………………………………………1 實(shí)驗(yàn)二 版圖設(shè)計(jì)基本畫圖操作…………………...………………….2 實(shí)驗(yàn)三 實(shí)驗(yàn)四 實(shí)驗(yàn)五 實(shí)驗(yàn)六 實(shí)驗(yàn)七 實(shí)驗(yàn)八 實(shí)驗(yàn)九 實(shí)驗(yàn)十 附 錄1 附 錄2

MOS晶體管版圖設(shè)計(jì)…………………………..…............…6 CMOS反相器版圖設(shè)計(jì)…………………..........………..…...8 CMOS與非門、或非門版圖設(shè)計(jì)……………….....……......11 CMOS傳輸門版圖設(shè)計(jì)…………........................….….…....12 基本RS觸發(fā)器版圖設(shè)計(jì)………………………………........13 差分對管版圖設(shè)計(jì)....………………………………..............15 集成無源器件版圖設(shè)計(jì)….......................................………...17 版圖驗(yàn)證（DRC、ERC、NE、LVS）…...………………….18 CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則……………......…….…23 基本門電路版圖的閱讀…………….......................…….…28

實(shí)驗(yàn)一 UNIX基本命令

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>掌握工作站的常用UNIX命令、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸命令。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站； 軟件： LINUX、EXCEED。

3. 常用命令

date 顯示今天的日期和當(dāng)前時(shí)間； cat 顯示整個(gè)文件的內(nèi)容；

more和 less一次顯示一屏文件的內(nèi)容； mkdir 創(chuàng)建目錄； rmdir 刪除目錄；

pwd 顯示當(dāng)前工作目錄的位置（絕對路徑名） echo 顯示主目錄 mv 移動目錄

cp –r 復(fù)制一個(gè)目錄層次及其內(nèi)容

ls 顯示目錄內(nèi)容（該目錄下面的文件名及其它目錄） cd 改變目錄 lpr 打印文件

man 查看每個(gè)命令的手冊（ 幫助） passwd 改變登錄用戶的密碼 history 查看命令歷史記錄 uptime 顯示系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)間 cp 復(fù)制文件 rm 刪除文件

gzip/gunzip壓縮/解壓縮

ps [選項(xiàng)] 顯示進(jìn)程屬性

4. LINUX中的一些標(biāo)準(zhǔn)目錄和文件

/ 根目錄

/BIN 包含LINUX命令的二進(jìn)制映象

/BOOT 包含了啟動LINUX時(shí)需要的所有文件 /DEV 設(shè)備目錄

/ETC 存放系統(tǒng)配置文件 /HOME 用戶的主目錄

/LIB 包含語言類的相關(guān)目標(biāo)映象文件 /MNT 臨時(shí)加載文件系統(tǒng) /OPT 安裝附加軟件包

/PROC 包含進(jìn)程信息和系統(tǒng)信息 /TMP 存放臨時(shí)文件

1

/USR 包含了主機(jī)之間可共享的只讀數(shù)據(jù) /VAR 放置變量數(shù)據(jù)

5.查找IP地址及網(wǎng)絡(luò)傳輸

（1）顯示本機(jī)IP地址命令 % cd /etc

% more hosts

（2）顯示硬盤序列號 % hostid （3）查看網(wǎng)絡(luò)是否連通 % /usr/sbin/ping IP地址 （4）ftp傳輸文件命令

% ftp IP 地址 % bin

% get 文件名 % put 文件名

1

實(shí)驗(yàn)二 版圖設(shè)計(jì)基本畫圖操作

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>掌握ZeniPDT設(shè)計(jì)流程和PDT基本操作 （有關(guān)庫/單元操作命令、工藝信息、狀態(tài)及選項(xiàng)設(shè)置

命令、圖形編輯命令，包括圖形產(chǎn)生、選擇、移動、拷貝、旋轉(zhuǎn)、合并、轉(zhuǎn)換等命令、圖形窗口顯示操作命令、輔助工具命令。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

(1)啟動軟件需要輸入以下命令

% source /eda/zeni/setup.csh % cd /eda/zeni/license/bin % ./lic_start % cd % dm

進(jìn)入設(shè)計(jì)管理界面，如圖2-1所示。

圖2-1 設(shè)計(jì)管理器界面

(2)PDT基本操作

? 有關(guān)庫/單元操作命令

庫命令操作：建立、打開、關(guān)閉、保存、刪除、拷貝、重命名； 單元操作：建立、打開、關(guān)閉、保存、刪除、拷貝、重命名。

2

建庫流程：點(diǎn)擊圖2-1中File-->New Library菜單，出現(xiàn)圖2-2窗口，Name中輸入庫名稱，In Directory中輸入庫所在路徑，選擇工藝文件路徑，這里我們選Load from file:/export/dz01/csmc06.tf

圖2-2 新建庫窗口

庫新建好后，設(shè)計(jì)管理界面如圖2-3所示。

圖2-3

庫中新建單元流程：在庫列表窗口中，雙擊剛才新建的庫名稱mydesign，打開該庫，點(diǎn)擊File—>New Cell，如圖2-4所示。

3

圖2-4 新建單元

Cell Name中輸入單元名稱，選擇simbol類型，這里我們選layout。雙擊剛才新建的版圖單元，便出現(xiàn)版圖編輯窗口，如圖2-5所示。

圖 2-5 版圖編輯窗口

4

? 圖形編輯命令，包括圖形產(chǎn)生、選擇、移動、拷貝、旋轉(zhuǎn)、合并、轉(zhuǎn)換等命令 圖形產(chǎn)生：如矩形、多邊形、路徑、圓弧、示例。 選擇命令：如選點(diǎn)、選邊、選區(qū)域、放棄選擇。

圖形操作命令：拷貝、移動、旋轉(zhuǎn)、拉伸、合并等。

? 圖形窗口顯示操作命令

fit 、zoom in /out、鼠標(biāo)右鍵下劃/上劃、ctrl z/shift z

? 輔助工具命令 版圖數(shù)據(jù)的導(dǎo)入/導(dǎo)出 批處理操作

(3)快捷命令

F1 –幫助 F2—存盤 F3—彈出窗口 F4---打開控制面板 F9---取消當(dāng)前命令

F10—取消以前所有命令 自定義鍵

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實(shí)驗(yàn)三 MOS晶體管版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則（見附錄），畫NMOS和PMOS管的版圖。掌握MOS管的典型物理表示法。MOS管的放置有垂直走向和水平走向。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）PDT設(shè)計(jì)流程

設(shè)置環(huán)境建庫個(gè)人化設(shè)置層次化編輯版圖驗(yàn)證ZeniVERI標(biāo)準(zhǔn)格式版圖數(shù)據(jù)GDS、CIF等讀入寫出版圖數(shù)據(jù)庫 圖3-1 版圖設(shè)計(jì)流程

（2） NMOS管和PMOS管的尺寸：（W/L）=0.8/0.6 （單位：μm）

（3） 參考版圖

6

圖3-2 MOS管版圖

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）版圖閱讀分析過程；

（4）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

7

實(shí)驗(yàn)四 CMOS反相器版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，完成CMOS反相器的版圖設(shè)計(jì)，掌握金屬走線方式：管子中間水平走線、管子上下水平走線和從電源、地線上下走線。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）版圖設(shè)計(jì)流程（同實(shí)驗(yàn)三）；

（2）CMOS反相器的放置：垂直走向和水平走向； （3）CMOS反相器尺寸：（W/L）P= 2.5（W/L）N ,（W/L）N = 0.8/0.6。

圖4-1 反相器版圖垂直柵結(jié)構(gòu) 圖4-2反相器版圖水平柵結(jié)構(gòu)

（3）金屬走線方式： ? 管子中間水平走線 ? 管子上下水平走線 ? 從電源、地線上下走線

8

圖4-3 走線一

圖4-4 走線二

9

圖4-5 走線三

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）實(shí)驗(yàn)電路原理圖； （4）版圖設(shè)計(jì)過程；

（5）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)五 CMOS與非門、或非門版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，完成CMOS與非門、或非門的版圖設(shè)計(jì)。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）版圖設(shè)計(jì)流程（同實(shí)驗(yàn)三）

（2）CMOS與非門、或非門的尺寸分別見圖5-1和圖5-2.

圖5-1與非門電路圖 圖5-2或非門電路圖

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅? （2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）實(shí)驗(yàn)電路原理圖； （4）版圖設(shè)計(jì)過程；

（5）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)六 CMOS傳輸門版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，完成CMOS傳輸門的版圖設(shè)計(jì)。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）版圖設(shè)計(jì)流程（同實(shí)驗(yàn)三） （2）CMOS傳輸門的尺寸.見圖6-1.

圖6-1 CMOS傳輸門電路圖

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅? （2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）實(shí)驗(yàn)電路原理圖； （4）版圖設(shè)計(jì)過程；

（5）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)七 基本RS觸發(fā)器版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>掌握Zeni PDT的設(shè)計(jì)流程。 掌握布局布線的一般原則。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、ZeniVERI、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）基本RS觸發(fā)器邏輯圖

圖7-1 RS觸發(fā)器邏輯圖

（2）二輸入與非門CMOS電路圖

圖 7-2 與非門電路圖

（3）完成版圖設(shè)計(jì)。

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4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）實(shí)驗(yàn)邏輯圖和電路原理圖； （4）版圖設(shè)計(jì)過程；

（5）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)八 差分對管版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，完成差分對管的版圖設(shè)計(jì)，掌握金屬走線方式。 掌握同心布局的方法。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、ZeniVERI、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）差分對管的電路圖，晶體管尺寸如圖8-1所示。

圖8-1 差分對管電路圖

（2）完成版圖設(shè)計(jì)，同心布局方法見教材P87。

（3）參考版圖如圖8-2。

圖8-2 差分對管版圖

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4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）實(shí)驗(yàn)電路原理圖； （4）版圖設(shè)計(jì)過程；

（5）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)九 集成無源器件版圖設(shè)計(jì)

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>基于CSMC-HJ/6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則，完成集成電阻器、集成電容器和集成電感的版圖。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）用多晶硅1設(shè)計(jì)電阻，多晶硅1的方塊電阻是45Ω，電阻R=150Ω、電阻的單位面積最大功耗為5*10-6W/μm2， 電阻流過的最大電流為25mA，計(jì)算電阻條的L和W，并完成電阻的版圖。

注意：需要在電阻體上畫電阻識別層。

（2）用多晶硅1和多晶硅2做電容的電極來設(shè)計(jì)集成電容器版圖。單位面積的電容值為3.5*10-4pF/μm2，需要設(shè)計(jì)的電容值為3.5*10-2pF/μm2，并完成電容的版圖。

注意：需要在電容體上畫電容識別層。

（3）用金屬1完成電感的版圖（單匝線圈版圖），內(nèi)徑r=10μm，ω=0.6μm。

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）版圖設(shè)計(jì)過程；

（4）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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實(shí)驗(yàn)十 版圖驗(yàn)證（DRC、ERC、NE、LVS）

1. 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?p>掌握ZeniVERI的設(shè)計(jì)流程，熟練使用驗(yàn)證工具。

2. 實(shí)驗(yàn)儀器或材料

硬件： PC機(jī)、SUN工作站；

軟件：LINUX、EXCEED、ZENI PDT、ZeniVERI、CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則。

3. 實(shí)驗(yàn)過程

（1）ZeniVERI的驗(yàn)證流程圖如圖10-1.

驗(yàn)證文件（Dracula或Zeni格式） 版圖數(shù)據(jù)（GDSII等標(biāo)準(zhǔn)格式 或Zeni格式） 電路網(wǎng)表（Spice格式）版圖驗(yàn)證網(wǎng)表格式轉(zhuǎn)換驗(yàn)證報(bào)告 ZeniVERI集成驗(yàn)證環(huán)境通過有錯(cuò)誤ZeniPDT驗(yàn)證結(jié)束圖10-1版圖驗(yàn)證流程圖

（2）版圖DRC檢查及網(wǎng)表提?。?.net

圖10-2 驗(yàn)證窗口

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圖10-2中，Command File中，選擇dz01下的drc驗(yàn)證文件6S06DPDM.drc，進(jìn)行DRC檢查。如果有drc錯(cuò)誤，則圖10-3中會給出錯(cuò)誤類型，點(diǎn)擊每條錯(cuò)誤類型語句，在版圖窗口中將出現(xiàn)高亮提示，根據(jù)提示，進(jìn)行相應(yīng)的修改，直至drc驗(yàn)證成功，然后進(jìn)行版圖網(wǎng)表提取。

圖10-3 DRC報(bào)錯(cuò)窗口

版圖網(wǎng)表形式如圖10-4所示。

圖10-4 版圖網(wǎng)表

（3）電路圖創(chuàng)建及網(wǎng)表轉(zhuǎn)換：*.snet

圖10-5 電路圖編輯窗口

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創(chuàng)建電路圖單元，symbol形式選擇schematic，出現(xiàn)圖10-5所示的電路圖編輯窗口，選擇相應(yīng)的元器件進(jìn)行布局和連線，然后進(jìn)行電路圖電氣規(guī)則檢查，產(chǎn)生cdl形式的網(wǎng)表，如圖10-6所示。然后對網(wǎng)表進(jìn)行修改，包括加入電源、地、模型名稱和輸入輸出端口名稱的匹配。具體修改內(nèi)容如圖10-7所示。

圖10-6 電路圖cdl形式的網(wǎng)表

圖10-7 電路圖網(wǎng)表修改

圖10-8是轉(zhuǎn)換后的電路圖網(wǎng)表，形式上與前面版圖提取的網(wǎng)表（圖10-4）一致。

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圖10-8 轉(zhuǎn)換后的電路圖網(wǎng)表

（4）LVS

選擇LVS命令，出現(xiàn)圖10-9所示的窗口，在Command File選項(xiàng)中選擇dz01下的6S06DPDM.lvs，同時(shí)在Custom Operations前面打勾，點(diǎn)擊OK運(yùn)行LVS，產(chǎn)生：plvs.log文件(文本) 和 plvs.lvs（錯(cuò)誤報(bào)告），在Schematic Primary中輸入電路圖單元名稱，在Schematic Nestlist中選擇修改后的電路圖網(wǎng)表名稱及路徑。

圖10-9 LVS驗(yàn)證窗口

（5）LDX查錯(cuò)

選擇LDX命令，出現(xiàn)如圖10-10所示的窗口，在Command File一欄中輸入plvs.lvs，出現(xiàn)LVS錯(cuò)誤類型，然后點(diǎn)擊每條錯(cuò)誤類型，出現(xiàn)如圖10-11所示的電路圖與版圖的比對，修改版圖的錯(cuò)誤，直至修改完全部的錯(cuò)誤。

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圖10-10 LDX查錯(cuò)窗口

圖10-11 電路圖與版圖比對

4.實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求

（1）實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵螅?（2）實(shí)驗(yàn)軟件、硬件工具； （3）版圖驗(yàn)證過程；

（4）實(shí)驗(yàn)過程中問題的分析、解決方法。

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附錄1 CSMC-6S06DPDM版圖設(shè)計(jì)規(guī)則

1、層次圖示

層次表示

含義

標(biāo)示圖

NWELL N阱層

LOCOS

N+/P+層

POLY1/PLOY2 多晶硅層

CONTACT 接觸孔層

MET1/MET2 金屬層 VIA 通孔

PAD 焊盤鈍化層

2、各層次的作用

各層次的作用如下：

N阱層：用以限定N阱區(qū)面積及位置。

P+有源層：經(jīng)硼離子注入、擴(kuò)散推進(jìn)，完成P溝管和P型襯底歐姆接觸區(qū)的制作。 N+有源層：用于限定對非P+區(qū)進(jìn)行N+離子（磷或砷）注入摻雜區(qū)域的大小。 多晶硅層：用于制作多晶硅柵極以及形成電路結(jié)構(gòu)的多晶硅的連線和電阻。 接觸孔層：用來確定歐姆接觸的大小和位置。

金屬層1：用于確定電極引出和布線的位置和形狀，主要用于電路內(nèi)部小范圍的布線。 金屬層2：用于整個(gè)電路的全局布線。實(shí)現(xiàn)在金屬層1中較難完成的布線。 通孔：用于金屬層1與金屬層2之間的連接。

鈍化層：它確定應(yīng)暴露的壓焊區(qū)或內(nèi)設(shè)測試圖形的測試點(diǎn)接觸區(qū)的位置和大小。

3、幾何設(shè)計(jì)規(guī)則

版圖設(shè)計(jì)中使用的各層次幾何設(shè)計(jì)規(guī)則如表1-1——表1-10所示。

23

表1-1 N阱幾何尺寸規(guī)則

描述 N阱最小寬度 N阱最小間距 N阱最小間距 N阱內(nèi)N阱覆蓋N+有源區(qū) N阱到N阱外N+有源區(qū)的距離 N阱內(nèi)N阱覆蓋P+有源區(qū) N阱到N阱外P+有源區(qū)的距離 尺寸（um） 3.0 4.8 1.5 0.4 1.8 1.8 0.4 備注 不同電位 相同電位

表1-2 有源區(qū)幾何尺寸規(guī)則

描述 有源區(qū)最小寬度 有源區(qū)最小寬度 有源區(qū)最小間距 尺寸（um） 0.6 0.8 1.2 備注 互連 溝道寬度

表1-3 多晶硅1幾何尺寸規(guī)則

描述 多晶硅1最小寬度 多晶硅1最小間距 用于N溝多晶硅1最小寬度 用于P溝多晶硅1最小寬度 柵伸出有源區(qū)的露頭 多晶硅1到有源區(qū)的間距 有源區(qū)對關(guān)聯(lián)柵的覆蓋 尺寸（um） 0.6 0.75 0.6 0.6 0.6 0.3 0.7 備注

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表1-4 多晶硅2幾何尺寸規(guī)則

描述 用于電容的多晶硅2最小寬度 電容下電極上的最小間距 多晶硅2到有源區(qū)的最小間距 多晶硅2最小寬度 多晶硅2最小寬度 多晶硅2不能與有源區(qū)相交 多晶硅2不能用作柵 尺寸（um） 1.2 1.0 0.5 0.8 1.0 備注 用作電容上電極 互連 用作電阻

表1-5 擴(kuò)散層幾何尺寸規(guī)則

描述 N+/P+最小寬度 N+/P+最小間距 N+/P+覆蓋有源區(qū) N+/P+與有源區(qū)的距離 N+/+P與N/P溝多晶硅柵的距離 N+、P+不能相交，可相切 尺寸（um） 0.9 0.9 0.5 0.75 0.75 備注 表1-6 接觸孔幾何尺寸規(guī)則

描述 接觸孔尺寸 最小間距 有源區(qū)覆蓋接觸孔 多晶硅1覆蓋接觸孔 多晶硅2覆蓋接觸孔 有源區(qū)接觸孔與多晶硅1柵的間距 多晶硅1/2上接觸孔與有源區(qū)的間距 多晶硅1上接觸孔與多晶硅2的間距

25

尺寸（um） 0.6*0.6 0.7 0.4 0.4 0.4 0.6 0.6 1.8 備注 一般取最小

柵區(qū)上不能有接觸孔 表1-7 金屬1幾何尺寸規(guī)則

描述 最小寬度 最小間距 金屬層1覆蓋接觸孔 尺寸（um） 0.9 0.8 0.3 備注

表1-8 通孔幾何尺寸規(guī)則

描述 最小寬度 最小間距 金屬層1覆蓋通孔 金屬層2覆蓋通孔 通孔與接觸孔間距 通孔不能放在有源區(qū)上 通孔與接觸孔不能相交 通孔不能放在多晶硅電容上 通孔不能放在多晶硅柵上 尺寸（um） 0.7*0.7 0.8 0.4 0.4 0.5 備注 一般取最小

表1-9 金屬層2幾何尺寸規(guī)則

描述 最小寬度 最小間距 金屬層2覆蓋通孔 寬金屬層2的間距 彎腳間距及彎角與45度斜線間距 電源與地總線避免90度拐角 尺寸（um） 0.9 0.8 0.4 1.5 滿足最小間距 備注 〉10um

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表1-10 焊盤幾何尺寸規(guī)則

描述 最小寬度 最小間距 金屬層2覆蓋焊盤 焊盤與有源層間距 焊盤與多晶硅間距 焊盤與金屬層間距 焊盤與保護(hù)環(huán)間距 尺寸（um） 90 35 5.0 25 25 25 25 備注

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