還原氫化工序工藝講義

第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備

一、三氯氫硅還原的工序劃分

單元號

T1100/T1101 T1200/T1201 T100/T101 T200/T201 T300 T400 T500 T600 T700 T800/801 T900 T1000

工序名稱

三氯氫硅(TCS)蒸發(fā) 四氯化硅(STC)蒸發(fā)

還原 氫化 硅芯拉制 硅芯腐蝕 破碎、分級 超純水制取 實(shí)驗室(分析檢測中心)

鐘罩清洗 冷卻水循環(huán)系統(tǒng)

HF洗滌

二、主要原輔材料及質(zhì)量要求

物質(zhì)

三氯氫硅 四氯化硅

原料

氫氣 硅芯 石墨電極 氫氟酸

輔料

洗滌劑 氫氧化鈉 酸洗劑 氨基磺酸 超純水 純度

TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb）

STC≥98% H2≥99.999%

Si≥99.999%；電阻率≥50Ω·cm(暫定)；Φ5mm ；

長2m 高純 分析純 優(yōu)純級或分析純

分析純或化學(xué)純

化學(xué)純 電阻率＞18M·Ω 三、主要設(shè)備

設(shè)備

個數(shù) 位號

三氯氫硅(TCS)蒸發(fā)器 四氯化硅(STC)蒸發(fā)器 還原爐及氫化爐的靜態(tài)混合器

還原爐 氫化爐 硅芯拉制爐 區(qū)熔爐

冷卻水及冷卻去離子水緩沖罐

全自動硅塊腐蝕清洗機(jī)

HF洗滌塔

4 4 2 18 9 6 1 4 1 1

T1100AB001/002 T1201AB001/002 T1200AB001/002 T1201AB001/002

AM100

T100/T101AC001-009 T200AC001-005 T201AC001-004 T300AC001-006 T700AC001 T900/T901AB001-002

T400 T1000AK001A/B T1000AK002A/B

第二節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝

一、還原工藝描述

SiHCl3蒸發(fā)器混合器H2還原爐多晶硅尾氣回收圖1 三氯氫硅氫還原工藝流程簡圖

經(jīng)提純的三氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。向蒸發(fā)器夾套通入蒸汽使三氯氫硅鼓泡蒸發(fā)并達(dá)到10bar，三氯氫硅的汽體和一路一定壓力的高純氫氣（包括干法分離工序返回的循環(huán)氫氣）在混合器AM100中以1：3的比例混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入還原爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于還原爐視鏡冷卻。

在1080℃~1100℃的反應(yīng)溫度下，在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅沉積下來，使硅芯硅棒的直徑逐漸變大。經(jīng)過約150小時反應(yīng)沉積過程，制得直徑為120～150mm，長2000mm的多晶硅棒，即為高純多晶硅產(chǎn)品。 還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。還原爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口取樣測量去離子水的電導(dǎo)率及純度，以防對還原爐電極造成損害。

爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為：

HClSiClClHH1080~1100度Si3HCl（主反應(yīng)）

轉(zhuǎn)化率僅為10%~15%

同時還發(fā)生一系列副反應(yīng)，例如SiHCl3和HCl反應(yīng)產(chǎn)四氯化硅和氫氣：

ClClSiHClHCl1080~1100度ClClSiClClHH（副反應(yīng)）

轉(zhuǎn)化率為30%~35%

和SiCl4的還原反應(yīng)

ClClSiClCl2HH1080~1100度Si4HCl（副反應(yīng)）

以及雜質(zhì)的還原反應(yīng)：

Cl2ClBCl3HH2 B6HCl

Cl2PClCl3HH2 P6HCl 及

氫還原反應(yīng)同時生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，出口設(shè)置取樣點(diǎn)檢測尾氣各成分含量，了解還原爐的工作是否

正常，尾氣經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。

二、還原爐尾氣組成

還原爐尾氣溫度200℃，壓力為6bar，各物質(zhì)成分如下：

還原爐尾氣成分

TCS STC H2 DCS HCl

含量

≈50% ≈40% 5~7% 2~3% 0~1%

第三節(jié) 三氯氫硅氫還原的影響因素

一、氫還原反應(yīng)及沉積溫度

三氯氫硅氫還原反應(yīng)都是吸熱反應(yīng)，因此升高溫度使平衡向吸熱一方移動，有利于硅的沉積，也會使硅的結(jié)晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金屬光澤。但實(shí)際上反應(yīng)溫度不能太高，因為：

（一）硅和其它半導(dǎo)體材料一樣，自氣相往固態(tài)載體上沉積時，都有一個最高溫度，當(dāng)反應(yīng)超過這個溫度，隨著溫度的升高，沉積速度反而下降。 （二）溫度太高，沉積的硅化學(xué)活性增強(qiáng)，受到設(shè)備材質(zhì)沾污的可能性增強(qiáng)。

（三）對硅極為有害的雜質(zhì)B、P化合物，隨著溫度增高，其還原量也加大，這將使硅的沾污增加。

（四）過高的溫度，會發(fā)生硅的逆腐蝕反應(yīng)。

因此，在生產(chǎn)中采用1080℃~1100℃左右進(jìn)行三氯氫硅氫還原反應(yīng)。

二、反應(yīng)混合氣配比

所謂反應(yīng)混合氣配比是指還原劑氫氣和原料三氯氫硅的摩爾比。

在三氯氫硅氫還原過程中，用化學(xué)當(dāng)量計算的配比的氫氣進(jìn)行還原時，產(chǎn)品呈非晶體型褐色粉末狀析出，而且實(shí)收率很低。這是由于氫氣不足，發(fā)生其它副反應(yīng)的結(jié)果。因此，氫氣必須比化學(xué)當(dāng)量值過量，有利于提高實(shí)收率，而且產(chǎn)品結(jié)晶質(zhì)量也較好。

但是， H2和SiHCl3的摩爾配比也不能太大，因為：

（一）配比太大，H2得不到充分利用，造成浪費(fèi)。同時，氫氣量太大，會稀釋SiHCl3的濃度，減少SiHCl3和硅棒表面碰撞的幾率，降低硅得沉積速度，降低硅得產(chǎn)量。

（二）從BCl3、PCl3氫還原反應(yīng)可以看出，過高得H2濃度不利于抑制B、P得析出，影響產(chǎn)品質(zhì)量。

因此，選擇合適得配比，使之即有利于提高硅得轉(zhuǎn)化率，又有利于抑制B、

P的析出。

三、反應(yīng)氣體流量

在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下，流量越大，爐產(chǎn)量越高。流量大小與還原爐結(jié)構(gòu)和大小，特別是與載體表面積大小有關(guān)。

增大氣體流量后，使?fàn)t內(nèi)氣體揣動程度隨之增加。這將有效地消除灼熱載體表面的氣體邊界層，其結(jié)果將增加還原反應(yīng)速度，使硅的實(shí)收率得到提高，但反應(yīng)氣體流量不能增的太大，否則造成反應(yīng)氣體在爐內(nèi)停留時間太短，轉(zhuǎn)化率相對降低，同時增大了干法回收崗位的工作量。

四、沉積表面積與沉積速度、實(shí)收率關(guān)系

硅棒的沉積表面積決定于硅棒的長度和直徑，在一定長度下表面積隨硅的沉積量而增大，沉積表面積越大，則沉積速度與實(shí)收率也越高。所以，采用多對棒，開大直徑硅棒，有利于提高生產(chǎn)效率。

五、還原反應(yīng)時間

盡可能延長反應(yīng)時間，也就是盡可能使硅棒長粗，對提高產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量都是有益的。隨著反應(yīng)周期延長，沉積硅棒越來越粗，載體表面越來越大，則沉積速率不斷增大，反應(yīng)氣體對沉積面碰撞機(jī)會也越多，因而產(chǎn)量就越高。而單位體積內(nèi)載體擴(kuò)散入硅中的雜質(zhì)量相對減少，這對提高硅的質(zhì)量有益。

延長開爐周期，相對應(yīng)地減少了載體的單位消耗量，并縮短停爐、裝爐的非生產(chǎn)時間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。

六、沉積硅的載體

作為沉積硅的載體材料，要求材料的熔點(diǎn)高、純度高、在硅中擴(kuò)散系數(shù)小，要避免在高溫時對多晶硅產(chǎn)生沾污，又應(yīng)有利于沉積硅與載體的分離，因此采用硅芯作為載體。

第四節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝質(zhì)量要求

一、原料的質(zhì)量要求

三氯氫硅氫還原崗位所需的原料有：氫氣、三氯氫硅、硅芯、石墨等。 氫氣：需要控制露點(diǎn)，氧含量，碳含量等；露點(diǎn)≤－50℃，O2含量≤5ppm. 三氯氫硅：標(biāo)準(zhǔn)雜質(zhì)含量；B≤0.03ppb, P≤0.02ppb, AI和Fe均為≤10ppb 硅芯：需要控制直徑，Ф：8±0.5mm有效長度，2000mm，彎曲度，＜3‰，類型：N型

石墨卡座：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無孔洞。加工件經(jīng)純水煮洗烘干，真空高溫煅燒后備用。

二、多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的要求

項 目 N型電阻率（Ω·cm）

多 晶 硅 等 級

一級品 ≥300

二級品 ≥200

三級品 ≥100

P型電阻率（Ω·cm） ≥3000 ≥2000 ≥1000 碳濃度（at/cm3） ≤1.5×1016 ≤2×1016 ≤2×1016 N型少數(shù)載流子壽命（μs） ≥500 ≥300 ≥100

硅多晶表面應(yīng)致密、平整，硅多晶應(yīng)沒有氧化夾層。 夾層對多晶質(zhì)量的影響：

硅棒從還原爐取出后，從硅棒的橫斷面上可以看到一圈圈的層狀結(jié)構(gòu)，是一個同心圓。多晶硅夾層一般分為氧化夾層和溫度夾層（也叫無定形硅夾層）兩種。

1.氧化夾層

在還原過程中，當(dāng)原料混合氣中混有水汽或氧時，則會發(fā)生水解及氧化，生成一層SiO2氧化層附在硅棒上，當(dāng)被氧化的硅棒上又繼續(xù)沉積硅時，就形成“氧化夾層”。在光線下能看到五顏六色的光澤。酸洗也不能出去這種氧化夾層，拉晶時還會產(chǎn)生“硅跳”。 應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度，使氧含量和水份降至規(guī)定值以下，開爐前一定要對設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查，防止有漏水、漏料現(xiàn)象。

2.溫度夾層

在還原過程中，在比較低的溫度下進(jìn)行時，此時沉積的硅為無定形硅，此時提高反應(yīng)溫度繼續(xù)沉積時，就形成了暗褐色的溫度夾層（因為這種夾層很大程度受溫度的影響，因此稱為“溫度夾層”。它是一種疏松、粗糙的夾層，中間常常有許多氣泡和雜質(zhì)。用酸腐蝕都無法處理掉，拉晶熔料時重則也會發(fā)生“硅跳”。應(yīng)注意：啟動完成進(jìn)料時，要保持反應(yīng)溫度，緩慢通入混合氣，蒸發(fā)器的蒸發(fā)量要均勻，在正常反應(yīng)過程中緩慢升電流，使反應(yīng)速度穩(wěn)定，不能忽高忽低。突然停電或停爐時，要先?；旌蠚狻?p>第五節(jié) 四氯化硅氫化工藝

一、四氯氫硅氫還原的工藝流程

SiCl4蒸發(fā)器混合器H2氫化爐尾氣回收 圖2 四氯化硅氫化工藝流程簡圖

經(jīng)提純的四氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。向蒸發(fā)器夾套通入蒸汽使四氯化硅鼓泡蒸發(fā)并達(dá)到10bar，四氯化硅的汽體和一路一定壓力的高純氫氣（包括干法分離工序返回的循環(huán)氫氣）在混合器AM100中以1：3的比例混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入氫化爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于氫化爐視鏡冷卻。

在1150℃~1250℃的反應(yīng)溫度下，在氫化爐內(nèi)通電的熾熱電極表面附近，發(fā)生四氯化硅的氫化反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時生成氯化氫。還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。氫化爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口同樣要設(shè)置取樣點(diǎn)測量去離子水的電導(dǎo)及純度，以防對電極造成損害。

爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為：

ClClSiClClHH1150~1250度HClSiClClHCl轉(zhuǎn)化率約為20%

出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序，取樣檢測尾氣各成分的含量，以考察氫化爐的工作是否正常。

二、氫化爐尾氣組成

氫化爐尾氣溫度200℃，壓力為6bar，各物質(zhì)成分如下：

氫化爐尾氣成分

TCS STC H2 DCS HCl

含量

12~17% ≈75% 2~4% 0~1% 4~5%

第六節(jié) 多晶硅產(chǎn)品的后處理

一、硅塊分級破碎及腐蝕（含硅芯）

單純的氫氟酸對硅的腐蝕作用極慢，通常在氫氟酸的腐蝕液中加入一定量的氧化劑（HNO3）。氧化劑的作用是使單質(zhì)硅氧化為SiO2，其反應(yīng)如下：

3Si + 4HNO33SiO2 + 2H2O + 4NO

但是由于SiO2是難溶的物質(zhì)，它即不溶于水，也不溶于，同時，由于硅的表面被氧化，表面形成一層非常緊密的SiO2薄膜，這個氧化膜對硅起到保護(hù)作用，能阻礙氧化劑HNO3對硅進(jìn)一步腐蝕，所以也HNO3不能有效地腐蝕硅，而只能在硅的表面形成一層很薄的SiO2薄膜。然而SiO2能與氫氟酸生成可溶解于水的絡(luò)合物，使硅表面的SiO2膜溶解，其反應(yīng)如下：

SiO2 ++ 6HFH2SiF6 + 2H2O

在HNO3和HF混合腐蝕液中，由于有HF的存在，使硅表面的SiO2保護(hù)膜被破壞了，所以都不斷地被HF溶解，因此HNO3和HF混合液對硅芯能進(jìn)行有效地腐蝕。其反應(yīng)為：

Si + 4HNO3 + 6HFH2SiF6 + 4H2O + 4NO2

（在硅芯腐蝕時，控制好的硅芯送檢后，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)，按型號、電阻率均勻度進(jìn)行選配成對，每根硅芯選好后截取一定長度稱重、登記）

多晶硅棒破碎分級HF腐蝕HF和HNO3混酸腐蝕超聲波酸洗槽超純水清洗超聲槽氮?dú)獾獨(dú)馇兴壅婵彰撍鄢檎婵瞻b

在還原爐內(nèi)制得的多晶硅棒被從爐內(nèi)取下，切斷、破碎成塊狀的多晶硅。在全自動多晶硅塊清洗線上，用一定濃度的氫氟酸和對塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅塊進(jìn)行干燥。在取樣測量器各項質(zhì)量指標(biāo)合格后包裝。

酸腐蝕處理過程中會有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，用風(fēng)機(jī)通過罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往廢氣處理裝置進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)排放。經(jīng)檢測達(dá)到規(guī)定的質(zhì)量指標(biāo)的塊狀多晶硅產(chǎn)品送去包裝。酸洗后的廢液經(jīng)廢酸緩沖罐輸送到廢水處理廠。

二、廢氣洗滌

廢氣HF洗滌塔NaOHNOx洗滌塔放空氨基磺酸亞鹽解毒器廢水處理廠

酸性廢氣硅芯制備和產(chǎn)品整理工序產(chǎn)生的酸性廢氣，經(jīng)集氣罩抽吸至廢氣處理系統(tǒng)。洗滌期間氫氟酸從廢氣中在HF洗滌塔被溶解在循環(huán)洗滌液體中。洗滌液體循環(huán)利用。苛性鈉供給氫氟酸洗滌器以維持pH值在3-6之間。部分充有氫氟酸的洗滌液體從循環(huán)液體中分離出來供給污水處理廠。

經(jīng)過氫氟酸洗滌器，包含少量氫氟酸和氧化氮的廢氣供給氧化氮洗滌塔。廢氣從低到頂部相對洗滌液體逆流進(jìn)入，通過填料床滴落到洗滌器底部。洗滌過程中氧化氮和氫氟酸從氣相轉(zhuǎn)移到液相中。洗滌器底部的洗滌液體與溶解的氫氟酸和氧化氮（鹽和亞鹽成分）混合。洗滌器頂部注入氫氧化鈉中和洗滌液體中的酸，尾氣經(jīng)20m的排氣筒排空。一部分洗滌液體從氧化氮洗滌器分離出來用循環(huán)泵供給亞鹽解毒裝置，廢水中的亞鹽成分用氨基黃酸氧化成鹽成分。氧化之后，廢水用卸料泵供給廢水處理工廠，損失的水用飲用水來補(bǔ)償。

三、硅芯拉制

在三氯氫硅的氫還原過程中，硅芯是沉積多晶硅的裁體，硅芯拉制和測試中，難避免其表面的沾污，為了得到高純的多晶硅，必須用物理和化學(xué)的方法除去硅芯表面的油污、氧化物及金屬雜質(zhì)等。 （一）工藝原理

a.直拉法：即切克老斯基法（Czochralski: Cz), 直拉法是用的最多的一種晶體生長技術(shù)。直拉法基本原理和基本過程如下：

（1）引晶：通過電阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔點(diǎn)的溫度，將籽晶浸入熔體，然后以一定速度向上提拉籽晶并同時旋轉(zhuǎn)引出晶體；

（2）縮頸：生長一定長度的縮小的細(xì)長頸的晶體，以防止籽晶中的位錯延伸到晶體中；放肩：將晶體控制到所需直徑；

（3）等徑生長：根據(jù)熔體和單晶爐情況，控制晶體等徑生長到所需長度； （4）收尾：直徑逐漸縮小，離開熔體； （5）降溫：降級溫度，取出晶體，待后續(xù)加工

（6）最大生長速度：晶體生長最大速度與晶體中的縱向溫度梯度、晶體的熱導(dǎo)率、晶體密度等有關(guān)。 提高晶體中的溫度梯度，可以提高晶體生長速度；但溫度梯度太大，將在晶體中產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，會導(dǎo)致位錯等晶體缺陷的形成，甚至?xí)咕w產(chǎn)生裂紋。為了降低位錯密度，晶體實(shí)際生長速度往往低于最大生長速度。

（7）熔體中的對流：相互相反旋轉(zhuǎn)的晶體（順時針）和坩堝所產(chǎn)生的強(qiáng)制對流是由離心力和向心力、最終由熔體表面張力梯度所驅(qū)動的。所生長的晶體的直徑越大（坩鍋越大），對流就越強(qiáng)烈，會造成熔體中溫度波動和晶體局部回熔，從而導(dǎo)致晶體中的雜質(zhì)分布不均勻等。

實(shí)際生產(chǎn)中，晶體的轉(zhuǎn)動速度一般比坩鍋快1~3 倍，晶體和坩鍋彼此的相互反向運(yùn)動導(dǎo)致熔體中心區(qū)與外圍區(qū)發(fā)生相對運(yùn)動，有利于在固液界面下方形成一個相對穩(wěn)定的區(qū)域，有利于晶體穩(wěn)定生長。

（8）生長界面形狀（固液界面）：固液界面形狀對單晶均勻性、完整性有重要影響，正常情況下，固液界面的宏觀形狀應(yīng)該與熱場所確定的熔體等溫面相吻合。在引晶、放肩階段，固液界面凸向熔體，單晶等徑生長后，界面先變平后再凹向熔體。通過調(diào)整拉晶速度，晶體轉(zhuǎn)動和坩堝轉(zhuǎn)動速度就可以調(diào)整固液界面形狀。

（9）連續(xù)生長技術(shù)：為了提高生產(chǎn)率，節(jié)約石英坩堝（在晶體生產(chǎn)成本中占相當(dāng)比例），發(fā)展了連續(xù)直拉生長技術(shù)，主要是重新裝料和連續(xù)加料兩中技術(shù)：

重新加料直拉生長技術(shù)：可節(jié)約大量時間（生長完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個坩堝可用多次。

連續(xù)加料直拉生長技術(shù)：除了具有重新裝料的優(yōu)點(diǎn)外，還可保持整個生長過程中熔體的體積恒定，提高基本穩(wěn)定的生長條件，因而可得到電阻率縱向分布均勻的單晶。連續(xù)加料直拉生長技術(shù)有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。

（10）液體覆蓋直拉技術(shù)：是對直拉法的一個重大改進(jìn)，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉制材料的熔體，在晶體生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術(shù)進(jìn)行單晶生長。

b. 懸浮區(qū)熔法：主要用于提純和生長硅單晶。其基本原理是：依靠熔體的表面張力，使熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長出的單晶之間，通過熔區(qū)向上移動而進(jìn)行提純和生長單晶。具有如下特點(diǎn)：不使用坩堝，單晶生長過程不會被坩堝材料污染；由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應(yīng)，可以生長出高電阻率硅單晶。

c.多晶硅澆注法：用于制備多晶硅太陽電池所用的硅原片，它是一種定向凝

固法，晶體呈現(xiàn)片狀生長過程和結(jié)構(gòu)。 （二）工藝流程：

切料水洗腐蝕清洗烘干裝爐腐蝕檢測 出爐拉制 將達(dá)到工藝要求的硅芯料，根據(jù)直徑大小計算出拉制成一定直徑和長度硅芯所需的長度，用切割機(jī)進(jìn)行切割。將切割好的料先用自來水清洗干凈，再用HNO3、HF進(jìn)行腐蝕，以除去表面油污和雜質(zhì)。腐蝕好后硅芯放入烘箱內(nèi)烘干水分，烘干后的硅芯就可送入硅芯爐內(nèi)拉制，出爐后檢測硅芯最后質(zhì)量，根據(jù)檢測數(shù)據(jù)對硅芯進(jìn)行選配，再進(jìn)行腐蝕就可作為沉積硅的裁體了。

四、鐘罩清洗

多晶硅沉積過程結(jié)束后反應(yīng)爐圓頂移開，用吊車移動到清洗單元。清洗開始之前，圓頂固定在廢水槽上。去離子水用熱水循化系統(tǒng)中的熱水加溫至80攝氏度。經(jīng)過高壓泵加壓，高壓去離子水用高壓噴嘴噴射到圓頂內(nèi)壁上，去除粉塵和沉積時圓頂上的沉積層。清洗之后，圓頂用氮干燥。收集在廢水槽的廢水用廢水泵排到污水處理廠。由于高壓水清洗有危險，當(dāng)圓頂沒有完全覆蓋廢水時，高壓泵將自動關(guān)閉。

五、廢氣及殘液處理

廢氣及殘液處理工序、含氯化氫工藝廢氣凈化提純工序排放的廢氣、還原爐開停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲存工序儲罐安全泄放氣、吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。廢氣經(jīng)淋洗塔用連續(xù)洗滌后出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序，尾氣經(jīng)高度排氣筒排放。

殘液處理在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理。需要處理的液體被送入殘液收集槽。然后用氮?dú)鈱⒁后w壓出，送入殘液淋洗塔洗滌。采用堿液進(jìn)行處置。廢液中的氯硅烷與NaOH和水發(fā)生反應(yīng)而被轉(zhuǎn)化成無害的物質(zhì)（處理原理同含氯化氫、氯硅烷廢氣處理）。

第七節(jié) 超純水制取

水中所含雜質(zhì)通常分為兩類，一類為導(dǎo)電的雜質(zhì)，另一類為不導(dǎo)電的雜質(zhì)。若先除去了非導(dǎo)電雜質(zhì)則水的質(zhì)量將由導(dǎo)電雜質(zhì)的多少來確定。而導(dǎo)電的雜質(zhì)在水中一般為離子狀態(tài)。隨著半導(dǎo)體事業(yè)的發(fā)展，特別是近年來大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)，一般純水還存在著較大的顆粒和一定的懸浮物，而不能滿足工藝的需要，因此對水的要求更高了。

超純水是將純水在惰性氣體保護(hù)下，經(jīng)化學(xué)處理，蒸餾以及紫外照射殺菌等方法處理后而獲得。其純度達(dá)7個“9”以上，水的電阻率可達(dá)18 MΩ·cm以上。

化工序制得的超純水，大部分用作硅塊（芯）腐蝕單元和鐘罩清洗單元的清洗水，少許運(yùn)送到實(shí)驗室T700作配置試劑、進(jìn)樣溶劑所用。

脫鹽水脫鹽水箱脫鹽水泵UV20.45um濾膜TOC脫除器1膜脫氣裝置高純水增壓泵高純水循環(huán)水箱EDI裝置0.22um膜濾器一級拋光混床高純水循環(huán)泵換熱器TOC脫除器2背壓閥回水UV殺菌0.04um膜濾器UV2二級拋光混床用戶 制得的超純水滿足以下標(biāo)準(zhǔn)：

主要項目

電阻率

pH 溫度 TOC 細(xì)菌總數(shù) 顆粒度（直徑）0.5u

指標(biāo)

≥18MΩ 6.8~7.2 22±2℃ 10ppb <3個/ml <150個/ml

當(dāng)我被上帝造出來時，上帝問我想在人間當(dāng)一個怎樣的人，我不假思索的說，我要做一個偉大的世人皆知的人。于是，我降臨在了人間。

我出生在一個官僚知識分子之家，父親在朝中做官，精讀詩書，母親知書答禮，溫柔體貼，父母給我去了一個好聽的名字：李清照。

小時侯，受父母影響的我飽讀詩書，聰明伶俐，在朝中享有“神童”的稱號。小時候的我天真活潑，才思敏捷，小河畔，花叢邊撒滿了我的詩我的笑，無可置疑，小時侯的我快樂無慮。

“興盡晚回舟，誤入藕花深處。爭渡，爭渡，驚起一灘鷗鷺?！鼻啻旱奈胰缤恢恍▲B，自由自在，沒有約束，少女純凈的心靈常在朝陽小，流水也被自然洗禮，纖細(xì)的手指拈一束花，輕拋入水，隨波蕩漾，發(fā)髻上沾著晶瑩的露水，雙腳任水流輕撫。身影輕飄而過，留下一陣清風(fēng)。

可是晚年的我卻生活在一片黑暗之中，家庭的衰敗，社會的改變，消磨著我那柔弱的心。我?guī)缀鯇ι罱^望，每天在痛苦中消磨時光，一切都好象是灰暗的。“尋尋覓覓冷冷清清凄凄慘慘戚戚”這千古疊詞句就是我當(dāng)時心情的寫照。

最后，香消玉殞，我在痛苦和哀怨中凄涼的死去。

在天堂里，我又見到了上帝。上帝問我過的怎么樣，我搖搖頭又點(diǎn)點(diǎn)頭，我的一生有歡樂也有坎坷，有笑聲也有淚水，有鼎盛也有衰落。我始終無法客觀的評價我的一生。我原以為做一個著名的人，一生應(yīng)該是被歡樂榮譽(yù)所包圍，可我發(fā)現(xiàn)我錯了。于是在下一輪回中，我選擇做一個平凡的人。

我來到人間，我是一個平凡的人，我既不著名也不出眾，但我擁有一切的幸福：我有溫馨的家，我有可親可愛的同學(xué)和老師，我每天平凡而快樂的活著，這就夠了。

天兒藍(lán)藍(lán)風(fēng)兒輕輕，暖和的春風(fēng)帶著春的氣息吹進(jìn)明亮的教室，我坐在教室的窗前，望著我擁有的一切，我甜甜的笑了。我拿起手中的筆，不禁想起曾經(jīng)作詩的李清照，我雖然沒有橫溢的才華，但我還是拿起手中的筆，用最樸實(shí)的語言，寫下了一時的感受：

人生并不總是完美的，每個人都會有不如意的地方。這就需要我們靜下心來閱讀自己的人生，體會其中無盡的快樂和與眾不同。

“富不讀書富不久，窮不讀書終究窮?！睘槭裁磸墓诺浇穸寄敲纯粗赜袑W(xué)識之人？那是因為有學(xué)識之人可以為社會做出更大的貢獻(xiàn)。那時因為讀書能給人帶來快樂。

自從看了《丑小鴨》這篇童話之后，我變了，變得開朗起來，變得樂意同別人交往，變得自信了……因為我知道：即使現(xiàn)在我是只“丑小鴨”，但只要有自信，總有一天我會變成“白天鵝”的，而且會是一只世界上最美麗的“白天鵝”……

我讀完了這篇美麗的童話故事，深深被丑小鴨的自信和樂觀所折服，并把故事講給了外婆聽，外婆也對童話帶給我們的深刻道理而驚訝不已。還吵著鬧著多看幾本名著。于是我給外婆又買了幾本名著故事，她起先自己讀，讀到不認(rèn)識的

字我就告訴她，如果這一面生字較多，我就讀給她聽整個一面。漸漸的，自己的語文閱讀能力也提高了不少，與此同時我也發(fā)現(xiàn)一個人讀書的樂趣遠(yuǎn)不及兩個人讀的樂趣大，而兩個人讀書的樂趣遠(yuǎn)不及全家一起讀的樂趣大。于是，我便發(fā)展“業(yè)務(wù)”帶動全家一起讀書……現(xiàn)在，每每遇到好書大家也不分男女老少都一擁而上，爭先恐后“搶書”，當(dāng)我說起我最小應(yīng)該讓我的時候，卻沒有人搭理我。最后還把書給撕壞了，我生氣地哭了，媽媽一邊安慰我一邊對外婆說：“孩子小，應(yīng)該讓著點(diǎn)?！蓖馄艆s不服氣的說：“我這一把年紀(jì)的了，怎么沒人讓我呀？”大家人你一言我一語，誰也不肯相讓……讀書讓我明白了善惡美丑、悲歡離合，讀一本好書，猶如同智者談心、談理想，教你辨別善惡，教你弘揚(yáng)正義。讀一本好書，如品一杯香茶，余香繚繞。讀一本好書，能使人心靈得到凈化。書是我的老師，把知識傳遞給了我；書是我的伙伴，跟我訴說心里話；書是一把鑰匙，給我敞開了知識的大門；書更是一艘不會沉的船，引領(lǐng)我航行在人生的長河中。其實(shí)讀書的真真樂趣也就在于此處，不是一個人悶頭苦讀書；也不是讀到好處不與他人分享，獨(dú)自品位；更不是一個人如癡如醉地沉浸在書的海洋中不能自拔。而是懂得與朋友，家人一起分享其中的樂趣。這才是讀書真正之樂趣呢！這所有的一切，不正是我從書中受到的教益嗎？

我閱讀，故我美麗；我思考，故我存在。我從內(nèi)心深處真切地感到：我從讀書中受到了教益。當(dāng)看見有些同學(xué)寧可買玩具亦不肯買書時，我便想到培根所說的話：“世界上最庸俗的人是不讀書的人，最吝嗇的人是不買書的人，最可憐的人是與書無緣的人。”許許多多的作家、偉人都十分喜歡看書，例如，他半邊床上都是書，一讀起書來便進(jìn)入忘我的境界。

書是我生活中的好朋友，是我人生道路上的航標(biāo)，讀書，讀好書，是我無怨無悔的追求。

下午13：00—17：00 B．實(shí)行不定時工作制的員工，在保證完成甲方工作任務(wù)情況下，經(jīng)公司同意,可自行安排工作和休息時間。 3．1．2打卡制度 3.1.2.1公司實(shí)行上、下班指紋錄入打卡制度。全體員工都必須自覺遵守工作時間，實(shí)行不定時工作制的員工不必打卡。 3.1.2.2打卡次數(shù)：一日兩次，即早上上班打卡一次，下午下班打卡一次。 3.1.2.3打卡時間：打卡時間為上班到崗時間和下班離崗時間； 3.1.2.4因公外出不能打卡：因公外出不能打卡應(yīng)填寫《外勤登記表》,注明外出日期、事由、外勤起止時間。因公外出需事先申請，如因特殊情況不能事先申請，應(yīng)在事畢到崗當(dāng)日完成申請、審批手續(xù)，否則按曠工處理。因停電、卡鐘（工卡）故障未打卡的員工，上班前、下班后要及時到部門考勤員處填寫《未打卡補(bǔ)簽申請表》，由直接主管簽字證明當(dāng)日的出勤狀況，報部門經(jīng)理、人力資源部批準(zhǔn)后，月底由部門考勤員據(jù)此上報考勤。上述情況考勤由各部門或分公司和項目文員協(xié)助人力資源部進(jìn)行管理。 3.1.2.5手工考勤制度 3.1.2.6手工考勤制申請：由于工作性質(zhì)，員工無法正常打卡（如外圍人員、出差），可由各部門提出人員名單，經(jīng)主管副總批準(zhǔn)后，報人力資源部審批備案。 3.1.2.7參與手工考勤的員工，需由其主管部門的部門考勤員(文員)或部門指定人員進(jìn)行考勤管理，并于每月26日前向人力資源部遞交考勤報表。 3.1.2.8參與手工考勤的員工如有請假情況發(fā)生，應(yīng)遵守相關(guān)請、休假制度，如實(shí)填報相關(guān)表單。 3.1.2.9 外派員工在外派工作期間的考勤,需在外派公司打卡記錄;如遇中途出差,持出差證明,出差期間的考勤在出差地所在公司打卡記錄; 3.2加班管理 3.2.1定義 加班是指員工在節(jié)假日或公司規(guī)定的休息日仍照常工作的情況。 A．現(xiàn)場管理人員和勞務(wù)人員的加班應(yīng)嚴(yán)格控制，各部門應(yīng)按月工時標(biāo)準(zhǔn)，合理安排工作班次。部門經(jīng)理要嚴(yán)格審批員工排班表，保證員工有效工時達(dá)到要求。凡是達(dá)到月工時標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)扣減員工本人的存休或工資；對超出月工時標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)說明理由，報主管副總和人力資源部審批。 B．因員工月薪工資中的補(bǔ)貼已包括延時工作補(bǔ)貼，所以延時工作在4小時（不含）以下的，不再另計加班工資。因工作需要，一般員工延時工作4小時至8小時可申報加班半天，超過8小時可申報加班1天。對主管(含)以上管理人員，一般情況下延時工作不計加班，因特殊情況經(jīng)總經(jīng)理以上領(lǐng)導(dǎo)批準(zhǔn)的延時工作，可按以上標(biāo)準(zhǔn)計加班。 3.2.2.2員工加班應(yīng)提前申請，事先填寫《加班申請表》，因無法確定加班工時的，應(yīng)在本次加班完成后3個工作日內(nèi)補(bǔ)填《加班申請表》?！都影嗌暾埍怼方?jīng)部門經(jīng)理同意，主管副總經(jīng)理審核報總經(jīng)理批準(zhǔn)后有效?！都影嗌暾埍怼繁仨毷虑爱?dāng)月內(nèi)上報有效，如遇特殊情況，也必須在一周內(nèi)上報至總經(jīng)理批準(zhǔn)。如未履行上述程序，視為乙方自愿加班。 3.2.2.3員工加班，也應(yīng)按規(guī)定打卡，沒有打卡記錄的加班，公司不予承認(rèn)；有打卡記錄但無公司總經(jīng)理批準(zhǔn)的加班，公司不予承認(rèn)加班。 3.2.2.4原則上，參加公司組織的各種培訓(xùn)、集體活動不計加班。 3.2.2.5加班工資的補(bǔ)償：員工在排班休息日的加班，可以以倒休形式安排補(bǔ)休。原則上，員工加班以倒休形式補(bǔ)休的，公司將根據(jù)工作需要統(tǒng)一安排在春節(jié)前后補(bǔ)休。加班可按1：1的比例沖抵病、事假。 3.2.3加班的申請、審批、確認(rèn)流程 3.2.3.1《加班申請表》在各部門文員處領(lǐng)取，加班統(tǒng)計周期為上月26日至本月25日。 3.2.3.2員工加班也要按規(guī)定打卡，沒有打卡記錄的加班，公司不予承認(rèn)。各部門的考勤員(文員)負(fù)責(zé)《加班申請表》的保管及加班申報。員工加班應(yīng)提前申請，事先填寫《加班申請表》加班前到部門考勤員(文員)處領(lǐng)取《加班申請表》，《加班申請表》經(jīng)項目管理中心或部門經(jīng)理同意，主管副總審核，總經(jīng)理簽字批準(zhǔn)后有效。填寫并履行完審批手續(xù)后交由部門考勤員(文員)保管。 3.2.3.3部門考勤員（文員）負(fù)責(zé)檢查、復(fù)核確認(rèn)考勤記錄的真實(shí)有效性并在每月27日匯總交人力資源部，逾期未交的加班記錄公司不予承認(rèn)。 下午13：00—17：00 B．實(shí)行不定時工作制的員工，在保證完成甲方工作任務(wù)情況下，經(jīng)公司同意,可自行安排工作和休息時間。 3．1．2打卡制度 3.1.2.1公司實(shí)行上、下班指紋錄入打卡制度。全體員工都必須自覺遵守工作時間，實(shí)行不定時工作制的員工不必打卡。 3.1.2.2打卡次數(shù)：一日兩次，即早上上班打卡一次，下午下班打卡一次。 3.1.2.3打卡時間：打卡時間為上班到崗時間和下班離崗時間； 3.1.2.4因公外出不能打卡：因公外出不能打卡應(yīng)填寫《外勤登記表》,注明外出日期、事由、外勤起止時間。因公外出需事先申請，如因特殊情況不能事先申請，應(yīng)在事畢到崗當(dāng)日完成申請、審批手續(xù)，否則按曠工處理。因停電、卡鐘（工卡）故障未打卡的員工，上班前、下班后要及時到部門考勤員處填寫《未打卡補(bǔ)簽申請表》，由直接主管簽字證明當(dāng)日的出勤狀況，報部門經(jīng)理、人力資源部批準(zhǔn)后，月底由部門考勤員據(jù)此上報考勤。上述情況考勤由各部門或分公司和項目文員協(xié)助人力資源部進(jìn)行管理。 3.1.2.5手工考勤制度 3.1.2.6手工考勤制申請：由于工作性質(zhì)，員工無法正常打卡（如外圍人員、出差），可由各部門提出人員名單，經(jīng)主管副總批準(zhǔn)后，報人力資源部審批備案。 3.1.2.7參與手工考勤的員工，需由其主管部門的部門考勤員(文員)或部門指定人員進(jìn)行考勤管理，并于每月26日前向人力資源部遞交考勤報表。 3.1.2.8參與手工考勤的員工如有請假情況發(fā)生，應(yīng)遵守相關(guān)請、休假制度，如實(shí)填報相關(guān)表單。 3.1.2.9 外派員工在外派工作期間的考勤,需在外派公司打卡記錄;如遇中途出差,持出差證明,出差期間的考勤在出差地所在公司打卡記錄; 3.2加班管理 3.2.1定義 加班是指員工在節(jié)假日或公司規(guī)定的休息日仍照常工作的情況。 A．現(xiàn)場管理人員和勞務(wù)人員的加班應(yīng)嚴(yán)格控制，各部門應(yīng)按月工時標(biāo)準(zhǔn)，合理安排工作班次。部門經(jīng)理要嚴(yán)格審批員工排班表，保證員工有效工時達(dá)到要求。凡是達(dá)到月工時標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)扣減員工本人的存休或工資；對超出月工時標(biāo)準(zhǔn)的，應(yīng)說明理由，報主管副總和人力資源部審批。 B．因員工月薪工資中的補(bǔ)貼已包括延時工作補(bǔ)貼，所以延時工作在4小時（不含）以下的，不再另計加班工資。因工作需要，一般員工延時工作4小時至8小時可申報加班半天，超過8小時可申報加班1天。對主管(含)以上管理人員，一般情況下延時工作不計加班，因特殊情況經(jīng)總經(jīng)理以上領(lǐng)導(dǎo)批準(zhǔn)的延時工作，可按以上標(biāo)準(zhǔn)計加班。 3.2.2.2員工加班應(yīng)提前申請，事先填寫《加班申請表》，因無法確定加班工時的，應(yīng)在本次加班完成后3個工作日內(nèi)補(bǔ)填《加班申請表》?！都影嗌暾埍怼方?jīng)部門經(jīng)理同意，主管副總經(jīng)理審核報總經(jīng)理批準(zhǔn)后有效。《加班申請表》必須事前當(dāng)月內(nèi)上報有效，如遇特殊情況，也必須在一周內(nèi)上報至總經(jīng)理批準(zhǔn)。如未履行上述程序，視為乙方自愿加班。 3.2.2.3員工加班，也應(yīng)按規(guī)定打卡，沒有打卡記錄的加班，公司不予承認(rèn)；有打卡記錄但無公司總經(jīng)理批準(zhǔn)的加班，公司不予承認(rèn)加班。 3.2.2.4原則上，參加公司組織的各種培訓(xùn)、集體活動不計加班。

3.2.2.5加班工資的補(bǔ)償：員工在排班休息日的加班，可以以倒休形式安排補(bǔ)休。原則上，員工加班以倒休形式補(bǔ)休的，公司將根據(jù)工作需要統(tǒng)一安排在春節(jié)前后補(bǔ)休。加班可按1：1的比例沖抵病、事假。 3.2.3加班的申請、審批、確認(rèn)流程 3.2.3.1《加班申請表》在各部門文員處領(lǐng)取，加班統(tǒng)計周期為上月26日至本月25日。 3.2.3.2員工加班也要按規(guī)定打卡，沒有打卡記錄的加班，公司不予承認(rèn)。各部門的考勤員(文員)負(fù)責(zé)《加班申請表》的保管及加班申報。員工加班應(yīng)提前申請，事先填寫《加班申請表》加班前到部門考勤員(文員)處領(lǐng)取《加班申請表》，《加班申請表》經(jīng)項目管理中心或部門經(jīng)理同意，主管副總審核，總經(jīng)理簽字批準(zhǔn)后有效。填寫并履行完審批手續(xù)后交由部門考勤員(文員)保管。 3.2.3.3部門考勤員（文員）負(fù)責(zé)檢查、復(fù)核確認(rèn)考勤記錄的真實(shí)有效性并在每月27日匯總交人力資源部，逾期未交的加班記錄公司不予承認(rèn)。 從群體上看，中專 畢業(yè)生的劣勢是閱歷較少、知識層次相對不高;優(yōu)勢是學(xué)校專業(yè)設(shè)置大多貼近市場實(shí)際、貼近一線需要，且中專畢業(yè)生年青、肯吃苦、可塑性強(qiáng)。從個體來說，每位畢業(yè)生的優(yōu)勢與長項又各不相同，如有相當(dāng)一部分畢業(yè)生動手操作能力較好;有些學(xué)生非常上進(jìn)，上學(xué)期間還同時參加了職業(yè)資格考試或自學(xué)考試。所以，在實(shí)事求是，不弄虛作假的前提下，要特別注意揚(yáng)長避短，從而在競爭中取得優(yōu)勢，打動聘任者。沒有重點(diǎn)和章法的寫作易使文章顯得頭緒不清、條理紊亂。

非常熱愛市場銷售工作，有著十分飽滿的創(chuàng)業(yè)激情。在××××兩年從事現(xiàn)磨現(xiàn)煮的咖啡市場銷售工作中積累了大量的實(shí)踐經(jīng)驗和客戶資源。與省內(nèi)主要的二百多家咖啡店鋪經(jīng)銷商建立了十分密切的聯(lián)系，并在行業(yè)中擁有廣泛的業(yè)務(wù)關(guān)系。在去年某省的咖啡博覽會上為公司首次簽定了海外的定單。能團(tuán)結(jié)自己的同事一起取得優(yōu)異的銷售業(yè)績。

合理分配自我介紹的時間前文說過，自我介紹一般也就持續(xù)1—3分鐘，所以應(yīng)聘者得合理分配時間。常規(guī)安排是：第一段用于表述個人基本情況，中段重點(diǎn)談自己的工作經(jīng)歷或社會實(shí)踐經(jīng)驗，最后展望下自己的職位理想。但如果自我介紹被要求在1分鐘完成，應(yīng)聘者就要有所側(cè)重，突出最有料的一點(diǎn)。在實(shí)踐中，有些應(yīng)聘者試圖在短短的時間內(nèi)吐露自己的全部經(jīng)歷，而有些應(yīng)聘者則是三言兩語就完成了自我介紹，這些都是不明智的做法。

突出和應(yīng)聘職位相關(guān)的信息自我介紹的內(nèi)容不宜太多的停留在諸如姓名、教育經(jīng)歷等部分上，因為面試官可以在應(yīng)聘者的簡歷上一目了然地看到這些內(nèi)容。應(yīng)聘者應(yīng)該在自我介紹時選擇一至兩項跟自己所應(yīng)聘的職位相關(guān)的經(jīng)歷和成績作簡述，以證明自己確實(shí)有能力勝任所應(yīng)聘的工作職位。一個讓人更有機(jī)會在面試中出彩的方法是在做一段自我介紹后適當(dāng)停頓。比如在“我曾在大學(xué)期間組織過有2000人參與的大型校園活動”之后的停頓可能會引導(dǎo)面試官去問“那是什么樣的活動呢？”，這樣做的目的是為面試的深入打下基礎(chǔ)。

一切以事實(shí)說話在證明自己確實(shí)有能力勝任所 應(yīng)聘的工作職位時，應(yīng)聘者可以使用一些小技巧，如介紹自己做過的項目或參與過的活動來驗證某種能力，也可以適當(dāng)?shù)匾美蠋?、同學(xué)、同事等第三方的言論來支持自己的描述。而這一切的前提是以事實(shí)為基礎(chǔ)，因為自吹自擂一般是很難逃過面試官的眼睛的，一旦被發(fā)現(xiàn)摻假，基本預(yù)示著應(yīng)聘者將被無

情“秒殺”。2×××年5月—至今： 擔(dān)任某咖啡茶品配送服務(wù)部的市場部業(yè)務(wù)員。主要負(fù)責(zé)與經(jīng)銷商簽定經(jīng)銷合同、辦理產(chǎn)品的包裝、運(yùn)輸、保險、貨款結(jié)算、售后產(chǎn)品跟蹤、市場反饋以及開拓新的銷售渠道等。負(fù)責(zé)公司新業(yè)務(wù)員的培訓(xùn)，在實(shí)際工作中具體指導(dǎo)和協(xié)調(diào)業(yè)務(wù)員的銷售工作，并多次受到公司的表揚(yáng)。